要实现电网的高度发展及低损失化，需要使用耐压超过10kV的功率元件。在SiC领域，适合用作超高耐压元件的双极元件方面的研究日益活跃。在SiC及相关材料学会“ECSCRM2014”(9月21～25日，法国格勒诺布尔)上，发表了多篇关于耐压超过10kV的SiC双极元件的论文。
比如，美国科锐公司(Cree)与美国陆军研究所联合试制出了耐压27kV、额定电流为20A的n沟道SiCIGBT(演讲序号：TH3-OR-02)。27kV的耐压在迄今为止发布的IGBT中是最高的。研发人员不仅验证了其静态特性，还证实可将该IGBT应用于开关电路，实现14kV、3kHz以上的开关性能。
日本产业技术综合研究所的研究小组试制出了耐压16kV的n通道SiCIGBT，并介绍了其特性评估结果(演讲序号：WE-P-70)。该器件可在室温至250℃的温度范围内驱动6.5kV、60A的开关电路。